Samsung v průběhu dnešního dne oznámil spuštění masové výroby 512GB pamětí typu embedded Universal Flash Storage (eUFS). A to je významný počin zejména s pohledem na mobilní průmysl, protože Samsung na svém blogu uvádí, že tyto interní paměťové čipy plánuje použít u svých smartphonů a tabletů příštích generací.
Samsung uvádí, že se mu podařilo vměstnat 64vrstvovou architekturu V-NAND čipů a jejich ovladač do stejného eUFS pouzdra jako 256GB eUFS moduly. Rychlost čtení dat dosahuje až 860 MB/s, v případě zápisu bude maximální rychlost 255 MB/s. Teoreticky tedy můžete na paměť přenést 5GB film za zhruba šest vteřin, což je zhruba osmkrát rychleji, než při použití běžných microSD karet.
512GB eUFS umožní do telefonu uložit až 130 desetiminutových videoklipů ve 4K rozlišení (3 840 × 2 160 pix). A to je zhruba desetkrát více, než v případě současných smartphonů se 64GB interními úložišti. Samsung na blogu uvádí, že v průběhu příštího roku navýší počty vyrobených 512GB paměťových čipů, a to současně s 256GB paměťovými moduly. Nové paměťové čipy se mají objevit u budoucích topmodelů od Samsungu a nás zajímá - stihne se to ještě u připravovaných „es devítek“?
Zdroj Samsung News