Samsung začne v příštím roce s výrobou čipsetů 3nm technologií první generace

Na 32nm výrobní proces v příštím roce, mimo TSMC, najede i jihokorejský Samsung. Původní plány sice počítaly s tím, že bude výroba zahájena už letos, nakonec se start 3nm výrobní technologie posunul až na příští rok. Polovodičová divize Samsung LSI u něj využije přístup 3GAE (3nm Gate-All-Around Early), který bude v roce 2023 vylepšen na výrobní režim 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus). Oproti 7nm LPP procesu slibuje 3nm technologie až 35% nárust výkonu či o 50 procent nižší energetickou spotřebu.

To však neznamená, že by se 3nm čipsety hnaly do telefonů. Podle zveřejněné roadmapy to vypadá, že Samsung v příštím roce začne komerčně dodávat čipsety vyrobené procesy 4LPE (4nm Low Power Early) a 4LPP (Low Power Plus). Jedním z prvních klientů my měl být Qualcomm se svým připravovaným čipsetem Snapdragon 895, který by měl zažít premiéru na prosincovém Qualcomm Summitu na Havaji. A příští rok by mohl do akce už pomalu přijít 3nm výrobní proces...

Aktuálně nejvýkonnější čipset od Qualcommu - Snapdragon 888+:

Zdroj anandtech

Diskuze (1) Další článek: Mobilní hráči zaplesají. U Androidu 12 má fungovat částečné stahování herních dat

Témata článku: Samsung, , , , , , , , , Generace, Samsung LSI, Výroba, Low power plus, Čipset, Příští rok, Havaj, Samsun, Nárůst výkonu, Proces