Samsung v průběhu tohoto týdne rozjede zkušební výrobu polovodičů pomocí 3nm procesu GAA (Gate-All-Around) procesu. Samotné uspořádání GAA využívá čtyřstrannou strukturu, zatímco dosavadní používané uspořádání tranzistorů FinFET mělo jen třístranný kanál. Aniž bychom zacházeli do přílišných technických podrobností, ve srovnání s FinFET má mít nové uspořádání přesnější možnosti pro ovládání proudu a lepší efektivitu, což by mělo napomoci k energeticky efektivnějším čipsetům budoucnosti.
GAA se však zatím stále testuje, i proto se zatím ze strany Samsungu jedná jen o zkušební várku, i tak už mají jihokorejci prvního odběratele čipů, které budou vyrobeny 3nm technologií. Je jím čínská polovodičová firma ASIC. Dalším v pořadí je Qualcomm, který si u Samsungu rezervoval výrobní kapacity, jakmile se americký gigant rozhodne, bude moci výrobu přesunout k Samsungu.
To můžeme vidět jako částečnou „omluvu“ jihokorejců za nízkou výtěžnost Snapdragonu 8 Gen 1, jehož „plusovou“ verzi bude vyrábět TSMC. Jenže zde se stále bavíme o 4nm technologii. A pokud Qualcomm nebude spokojený s 3nm procesem od TSMC, může se k Samsungu prakticky kdykoliv vrátit.
Jihokorejci dlouhodobě avizovali, že masovou výrobu 3nm technologii rozjedou v první polovině roku, a, i když nedošlo ke změně rétoriky, ve skutečnosti se jedná jen o testovací výrobu. Kompletní 3nm výroba polovodičů se má rozjet nejdříve na přelomu roku, spíše až v první polovině roku 2023. TSMC má v plánu základní 3nm proces (3N) komerčně odstartovat již v letošní druhé polovině roku ale optimalizovaných procesů N3E a N3B se dočkáme zřejmě opět až v loňském roce.
V zákulisí se hovoří o tom, že letošní podzimní iPhony by měly využívat 4nm čipsety, zatímco Qualcomm by mohl svůj Snapdragon 8 Gen 2 oznámit již s novější 3nm technologií. Premiéra čipsetu by se měla odehrát na Snapdragon Summitu, který se uskuteční 14. - 17. listopadu.
Představení čipsetu Snapdragon 8 Gen 1:
Zdroj Thelec
