Samsung oznámil zahájení výroby paměťových čipů eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) pro smartphony, a to v kapacitě až 512 GB. Jedná se o mobilní pamětí určené pro prémiové smartphony, které mají až třikrát vyšší rychlosti zápisu, než paměti typu eUFS 3.0, které najdete např. u 512GB Galaxy S20 Ultra. OnePlus 7T, Asus ROG Phone 2 a u dalších výkonných smartphonů.
Maximální rychlost sekvenčního zápisu u nových pamětí atakuje hranici 1 200 MB/s, což je více než dvojnásobek, než čtení SATA disků (540 MB/s) a desetinásobek rychlosti čtení u microSD karet typu UHS-I (90 MB/s). Nové úložiště se tak hodí pro datově náročné operace, jako je např. ukládání 8K videí nebo přenos velkého počtu fotografií ve vysokém rozlišení. Pokud třeba budete ze starého telefonu na nový přesouvat data a soubory, zvládne eUFS 3.1 uložit 100 GB dat za jednu a půl minuty.
Pokud srovnáme náhodné přístupy do pamětí, jsou eUFS 3.1 paměti až o 60 procent rychlejší, než standard UFS 3.0. Můžete tedy počítat s výkonem 100 tisíc IOPS (Input Output Operations per second) pro čtení, a 70 tisíc IOPS pro zápis. Uváděná 512GB kapacita není v případě UFS 3.1 jedinou, Samsung bude paměti vyrábět i v menších verzích - ve 128 a 256 GB. Výroba pamětí byla zahájena v čínské továrně X2, a to prostřednictvím výrobní technologie V-NAND páté generace. Pojmem V-NAND přitom Samsung souhrnně označuje své vrstvené paměti. Výroba se má brzy posunout do jihokorejské továrny P1, kde dojde k upgradu na šestou generaci V-NAND.
Zdroj Samsung News