Samsung dnes v Jižní Koreji oficiálně oznámil zahájení masové výroby čipsetu Exynos 7 Octa, který má být centrálním prvkem Samsungu Galaxy S6. Čip je vyroben 14nm 3D FinFET technologií, což je významné zlepšení oproti, u Samsungu dříve používané, 20nm planární technologii.
Samsung zahájil masovou výrobu čipsetu pro Galaxy S6 a Galaxy S Edge
Oproti ní je tak patrný nárust výkonu o 20 procent, přičemž byla snížena spotřeba elektrické energie o 35 procent.Gabsoo Han, výkonný víceprezident prodeje a marketingu Samsungu LSI řekl: „Pokročilá 14nm FinFET technologie Samsungu je nepochybně nejpokročilejší technologie pro logické zpracování v rámci mobilního průmyslu. Očekáváme, že se výroba našeho 14nm aplikačínho procesoru pozitivně ovlivní růst celého mobilního odvětví a umožní dále zvýšit výkon u těch nejvybavenějších smartphonů.“ Samsung poprvé prezentoval 3D FinFET proces již v roce 2003 na konferenci IEDM (Internation Electron Devices Meeting), za uplynulých dvanáct let podal v této věci i řadu patentů.
Co se týká výkonu, očekává, se že Exynos 7420 z Galaxy S6 a S Edge, který bude postaven právě na 14nm technologii Samsungu, bude výkonnější, než konkurenční Snapdragon 810 vyráběný 20nm technologií. Právě tento procesor měl být obsažen i v připravovaném vlajkovém modelu Samsungu pro letošní rok, údajné problémy s přehříváním však „přinutily“ Samsung poprvé v tak velkém měřítku sáhnout, co se týká procesoru, do vlastních zásob.
Zdroj: Samsung.co.kr
