Střípky postupně zapadají do skládačky. Necelé dva týdny před oficiálním představením Galaxy S6 Samsung oficiálně světu oznámil masovou výrobu nového procesoru, který by měl být poprvé obsažen právě v chystaném smartphonu. Dnes zase jihokorejský výrobce oficiálně představil nové ultrarychlé flash NAND paměti dle standardu eMMC 5.1, se kterými v brzké době počítá do „některých smartphonů a tabletů“. Díky tomuto načasování je téměř jisté, že se s těmito paměťmi setkáme právě u připravovaného Galaxy S6.
Samsung představil revoluci mezi mobilními flash paměťmi, nové čipy se dostanou na trh zřejmě již s Galaxy S6
Samsung na svém blogu vyzdvihuje největší paměťový čip (o kapacitě 64GB), který má při sekvenčním čtení přenosovou rychlost 250 MB/s, při sekvenčním zápisu je rychlost poloviční. 64GB paměťový modul dosahuje až 11 000 IOPS pro náhodné čtení (Input/Output Operations per second, tedy v překladu vstupně-výstupní operace za sekundu) a 13 000 IOPS pro náhodný zápis. Oproti běžně používaným microSD kartám (náhodné čtení 1 500 IOPS, náhodný zápis 500 IOPS) je tak vidět sedminásobný, resp. jedenadvacetinásobný nárust výkonu.
Nejrelevantnější porovnání je ale samozřejmě s dřívějšími Samsung paměťmi eMMC 5.0 z roku 2013, které měly maximální rychlost sekvenčního čtení 250 MB/s a 90MB/s u sekvenčního zápisu. Výkon náhodného čtení i náhodného zápisu byl přitom 7 000 IOPS. Mimo 64GB pamětí bude Samsung vyrábět i 32GB a 16GB modely založené na eMMC 5.1.
Nové paměti jsou cíleny zejména pro rychlejší multitasking, Samsung do pamětí integroval, jako první v mobilním odvětví, funkci pro řetězení příkazů. To umožní, aby byly příkazy s předstihem řazeny do paměti za sebe, což urychlí jejich vykonávání, než kdyby příkazy vždy čekaly, až se úspěšně ukončí před nimi prováděný příkaz.