Samsung Galaxy S7 Edge otestován benchmarkem Geekbench

Ve webové databázi bechmarku Geekbench se objevily výsledky zatím nepředstaveného Samsungu Galaxy S7 Edge. Otestována byla evropská varianta označená jako SM-G935F, u které se předpokládá přítomnost osmijádrového čipsetu Exynos 8890

Klepněte pro větší obrázek
Výsledky Samsungu Galaxy S7 Edge v benchmarku Geekbench

Tomu se v testech ale zatím nevedlo moc dobře. Jednorázové testy vykázaly skóre 1 363, vícejádrové pak znamenaly výsledek 4 951 bodů. Ze současného srovnání tak nový Exynos vychází hůře, než Snapdragon 820, který bude instalován do „es sedmiček“ v USA, jehož skóre bylo 2 456 (jednojádrový test) a 5 423 (vícejádrový test). Testovaný S7 Edge ale mohl mít předprodukční hardware, příp. omezený takt procesoru, takže s porovnáním počkáme až na finální varianty.

Benchmark dále potvrdil, že telefon bude mít 4 GB RAM a poběží na Androidu 6.0.1 Marshmallow. Galaxy S7 Edge má být oficiálně představen koncem února v Barceloně po boku základní Galaxy S7 (SM-G930F), od které se bude odlišovat jen větším a dvakrát zahnutým Super AMOLED panelem s QHD rozlišením.

Diskuze (7) Další článek: Samsung USB 3.0 Flash Drive Duo: užitečná „flashka“ ke smartphonu

Témata článku: Samsung, , , , , , Samsung Galaxy, Samsung Galaxy S7, Samsung Galaxy S7 64GB, Samsung Galaxy S7 Active, Samsung Galaxy S7 Edge, Samsung Galaxy S7 Edge 64GB, Základní galaxy, Galaxy s, GAL, Geekbench, Edge +, Vícejádrový test, Samsung Galaxy s, Benchmark geekbench, Samsun, Interní prezentace, Sam