Samsung na svém oficiálním blogu oznámil, že se pouští do výroby 12Gb LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) paměťových čipů DRAM, které budou vyráběny 20nm technologií. Právě tyto čipy mají umožnit všeobecné rozšíření smartphonů s většími operačními paměťmi, které jsou navíc vysokorychlostní a energeticky méně náročně, než dřívě vyráběné paměťové čipy.
Samsung představil nové paměťové čipy, kterými docílí až 6GB paměťové moduly pro smartphony a tablety
Podle Samsungu jsou nové paměti o 30% rychlejší při taktu 4.266 Mbps, než předchozí 20nm 8Gb LPDDR4 a také dvakrát rychlejší, než DDR4 DRAM používané u počítačů. Energetická náročnost pamětí přitom byla snížena o 20 procent, Samsung si navíc dokázal poradit s výrobou, kterou zrychlil a zefektivnil o 50 procent. Tyto nové DRAM čipy od Samsungu v brzké době umožní výrobcům integrovat do smartphonů 3GB a 6GB operační paměti, v případě 3GB RAM Samsung do pouzdra umístí 2 tyto čipy, v případě 6GB to budou čipy čtyři. V současnosti se jedná o jediné známé řešení, kterým lze v budoucnu docílit 6GB RAM ve smartphonech a tabletech. Samsung navíc vsází na to, že tyto nové paměťové moduly budou mít stejné rozměry jako dřívější 3GB moduly (např. Galaxy S6 Edge), takže je výrobci budou moci nahradit „kus za kus“, aniž by museli měnit layout základní desky.
Můžeme optimisticky předpokládat, že Samsung nové paměti poprvé použije u klíčového modelu pro příští rok, Galaxy S7. A protože již u Galaxy S6 Edge+ byl přítomen 4GB modul, je pravděpodobné, že Galaxy S7 debutuje hned s 6GB RAM. V budoucnu by se nové paměťové moduly měly objevit i u různých dalších spotřebičů a v ultratenkých netboocích.
Zdroj: SamsungTomorrow
